2015年 理工学部 シラバス - 電気工学科
設置情報
| 科目名 | 電子デバイス | ||
|---|---|---|---|
| 設置学科 | 電気工学科 | 学年 | 3年 |
| 担当者 | 伊藤 洋一 | 履修期 | 後期 |
| 単位 | 2 | 曜日時限 | 木曜2 |
| 校舎 | 駿河台 | 時間割CD | I42O |
| クラス | A・B | ||
概要
| 学修到達目標 | 電子デバイスはエレクトロニクス技術のみならずあらゆる産業分野に関係する要素技術であり、工学技術者にとってその発展過程および製造プロセスを学ぶことは極めて重要である。この授業では半導体集積回路の製造プロセスの基本を始め、マイクロ波、光・表示デバイス等の動作、特性について学ぶ。 |
|---|---|
| 授業形態及び 授業方法 |
電子デバイスの基本事項を平易に解説する。また、各種デバイスの製造プロセス、特性等について、その特徴を抽出して紹介するとともに、現状および将来の展望について解説する。 |
| 履修条件 | ３年生以上受講可。「半導体デバイスの基礎」を受講していることが望ましい。 |
授業計画
| 第1回 | 半導体工学分野の概要と本授業の位置づけについて講義する。 |
|---|---|
| 第2回 | ダイオード、トランジスタについて復習する。 |
| 第3回 | 集積回路プロセスⅠとして、集積回路の種類と製造プロセスの概要を学ぶ。 |
| 第4回 | 集積回路プロセスⅡとして、前工程である、各種薄膜形成技術、不純物導入技術、ホトリソグラフィ等について学ぶ。 |
| 第5回 | 集積回路プロセスⅢとして、後工程およびIC技術の動向について学ぶ。 |
| 第6回 | マイクロ波用半導体デバイスⅠとして、各種マイクロ波半導体デバイスを学ぶ。 |
| 第7回 | マイクロ波用半導体デバイスⅡとして、ガンダイオード、インパットダイオード、その他のダイオードについて学ぶ。 |
| 第8回 | 光デバイスⅠとして、光吸収および光放出機構について学ぶ。 |
| 第9回 | 光デバイスⅡとして、受光デバイスを学ぶ。 |
| 第10回 | 光デバイスⅢとして、発光デバイスを学ぶ。 |
| 第11回 | 表示デバイスⅠとして、表示デバイスの基礎、液晶および液晶ディスプレイについて学ぶ。 |
| 第12回 | 表示デバイスⅡとして、プラズマ、有機ＥＬ、およびその他のフラットパネルディスプレイについて学ぶ。 |
| 第13回 | センシングデバイスとして、各種センサについて学ぶ。 |
| 第14回 | 電子デバイスの将来の展望について学ぶ。 |
| 第15回 | 平常試験及びその解説を行う。 |
その他
| 教科書 |
授業に必要な資料を随時配布する。
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|---|---|
| 参考書 |
必要に応じて授業の中で提示する。
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| 成績評価の方法 及び基準 |
平常試験の評価80％、演習と課題の評価20パーセントとする総合評価を行う。 |
| 質問への対応 | 随時対応する。 |
| 研究室又は 連絡先 |
電気工学科 駿河台校舎８号館８３３Ｃ号室、Tel. ０３－３２５９－０７６６ |
| オフィスアワー |
月曜 駿河台 16:40 ～ 18:00 8号館3階研究室
木曜 駿河台 16:40 ～ 18:00 8号館3階研究室
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| 学生への メッセージ |
講義内容をしっかりノートに取り、参考書を利用しながら内容をより深く理解すること。併せて関連の知識も習得すること。本学図書館の関連蔵書を十分に活用すること。 |