2015年 理工学部 シラバス - 電気工学科
設置情報
科目名 | 電子回路Ⅰ | ||
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設置学科 | 電気工学科 | 学年 | 2年 |
担当者 | 小野 隆 | 履修期 | 前期 |
単位 | 2 | 曜日時限 | 金曜1 |
校舎 | 駿河台 | 時間割CD | I51N |
クラス | B |
概要
学修到達目標 | 電子デバイスの発展に伴い電子回路技術も新たな展開を見せており、電子回路を学ぶ重要さがますます増している。本授業は、電子回路を構成する素子の特徴、基本特性を理解し、増幅回路をはじめ各種回路の設計並びに動作について学ぶ。 |
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授業形態及び 授業方法 |
講義で学んだことをさらに演習、課題によって復習し、習熟度を高める。 |
履修条件 | 電気回路Ⅰ・Ⅱを受講していること |
授業計画
第1回 | 電子回路の考え方 |
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第2回 | 電源 (1)独立電源と制御電源 (2)インピーダンス整合 (3)重ねの理およびテブナンの定理 |
第3回 | 入出力特性の表現 (1)電力比、電圧比、電流比の表現方法 (2)周波数特性の表現方法 |
第4回 | 半導体の性質 (1)真性半導体と不純物半導体の性質 (2)キャリア移動 (3)pn接合とダイオード |
第5回 | バイポーラトランジスタ (1)バイポーラトランジスタの動作と特性 (2)増幅動作と増幅率 |
第6回 | FET (1)接合型FETの動作と特性 (2)MOS FETの動作と特性 |
第7回 | バイポーラトランジスタとFETの等価回路 (1)バイポーラトランジスタの直流等価回路 (2)バイポーラトランジスタの小信号等価回路 (3)T型等価回路の定数と四端子等価回路のhパラメータ (4)FETの小信号等価回路 |
第8回 | バイアス回路設計と直流動作点 (1)バイポーラトランジスタのバイアス回路とその設計 (2)バイポーラトランジスタの直流動作点およびコレクタ損失 |
第9回 | バイアス回路設計と直流動作点 (3)バイアス回路の簡易設計 (4)ナレータ・ノレータモデルとその設計 (5)FETのバイアス回路とその設計 |
第10回 | 基本増幅回路とその設計 (1)利得および入力・出力インピーダンス (2)バイポーラトランジスタの基本増幅回路とその設計 |
第11回 | 基本増幅回路とその設計 (3)FETの基本増幅回路とその設計 (4)基本増幅回路の従続接続とその設計 |
第12回 | 高周波等価回路とGB積 (1)バイポーラトランジスタの周波数特性とGB積 (2)バイポーラトランジスタの高周波等価回路 |
第13回 | 高周波等価回路とGB積 (3)FETの高周波等価回路 (4)ミラー効果 |
第14回 | 多段増幅器とその設計 (1)多段増幅器の周波数特性および利得 (2)多段増幅器の設 |
第15回 | 周波数補償回路および広帯域増幅器 (1)ピーキングによる周波数特性補償回路 (2)広帯域増幅器とその設計 |
その他
教科書 |
藤井 信生 『アナログ電子回路』 オーム社
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参考書 |
特に指定しない
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成績評価の方法 及び基準 |
理解度確認試験70% 課題レポートの評価30% |
質問への対応 | 随時 |
研究室又は 連絡先 |
駿河台校舎 3号館321室 Tel:03-3259-0761 E-mail ono@ele.cst.nihon-u.ac.jp |
オフィスアワー |
月曜 駿河台 18:00 ~ 19:00 3号館研究室
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学生への メッセージ |
エレクトロニクスの実学としての修得を目指す学生を希望する。 |