半導体デバイス工学 (J23D)

学修到達目標	半導体材料の基礎的な物性およびpn接合，MIS構造などの基礎的なデバイス構造を通して，半導体中のキャリアの振る舞いをいかに制御し，デバイス特性を実現するかを学ぶ．また電子デバイスに関連した専門用語についての知見を得る．
授業形態及び授業方法	教科書を用いた講議を行い，適宜演習を行うことにより理解を深める．
履修条件	電磁気学，物性工学の基礎的な知識が必要．

第1回	半導体デバイスの概要
第2回	半導体の基礎(1)：　半導体材料／真性半導体と不純物半導体
第3回	半導体の基礎(2)：　フェルミエネルギー／キャリア密度
第4回	半導体における電気伝導(1)：　ドリフト電流／拡散電流
第5回	半導体における電気伝導(2)：　キャリアの生成と消滅／電流連続の式／拡散方程式
第6回	pnダイオード(1)：　pn接合の整流性／拡散電位／理想特性
第7回	pnダイオード(2)：　再結合電流／生成電流／直列抵抗効果／高注入状態
第8回	pnダイオード(3)：　空乏層の解析（階段接合・傾斜接合）／交流特性
第9回	バイポーラトランジスタ(1)：　基本構造と動作原理／npn, pnpトランジスタ
第10回	バイポーラトランジスタ(2)：　直流特性／キャリア分布
第11回	バイポーラトランジスタ(3)：　スイッチング特性
第12回	MIS構造(1)：　基本構造と動作原理／半導体表面電位
第13回	MIS構造(2)：　容量－電圧特性
第14回	MOS型電界効果トランジスタ：　基本構造と動作原理／理想特性
第15回	平常試験およびその解説

教科書	松波弘之，吉本昌広『半導体デバイス』 series電気・電子・情報系7 共立出版 2004年第5版
参考書	古川静二郎『半導体デバイス』コロナ社 1982年第1版大西一功・藤田実『絵ときでわかる　半導体デバイス』オーム社 2002年第1版
成績評価の方法及び基準	平常試験および平常点（演習・宿題）により評価．
質問への対応	随時，研究室にて対応．
研究室又は連絡先	船橋校舎425室（高橋研究室）
オフィスアワー	火曜船橋 10:30 ～ 11:30
学生へのメッセージ	半導体素子は身の回りにある携帯電話やDVD，CDプレーヤ等，あらゆるところで使われている．半導体素子の仕組みはどのようになっているか，半導体と絶縁物，導体はどう違うのか等々を考えながら勉強して欲しい．

2015年 理工学部 シラバス - 電子工学科