卒業研究 (J66A)

研究テーマ及び研究領域	半導体材料物性（絶縁膜の性質，発光など），素子作製プロセス（ウエハーからトランジスタまで），特性評価（C-V, I-V, FTIR, XPS, SEM, エリプソメータ他），デバイスシミュレータ，宇宙用半導体デバイス（耐放射線性デバイス）などの内容について，下記のテーマを取り扱う．　耐放射線半導体デバイス開発／各種MISFETの作製・評価／陽極酸化法による酸化膜の室温成長／光エネルギーを用いたシリコン窒化膜の低温成長／シリコン系発光素子の作製・評価／シミュレーションによるデバイス特性予測
学修到達目標	半導体材料の物性・デバイスの物理・製造プロセス・応用について深く取り組み，電子工学の専門家としての意識を明確にする．そのために，研究の遂行を通して問題解決能力を養い，プレゼンテーションやディスカッションを通して自らの考えを主張する能力を養う．
授業形態及び授業方法	各自の研究テーマに沿って長期・短期の目標を定め，実験を遂行する．定期的に研究発表会，輪講を行う．主としてプレゼンテーションとディスカッションを重んじる．
履修条件	半導体工学の基礎的内容を理解している必要あり．

成績評価の方法及び基準	研究の進め方，実施方法，検討，発表について総合的に評価する．
質問への対応	随時，研究室にて行う．
研究室又は連絡先	船橋校舎4号館425室（高橋研究室）
オフィスアワー	火曜船橋 10:30 ～ 11:30
学生へのメッセージ	半導体デバイスおよび作製工程に対する研究が主ですが，シミュレーションを用いた研究も行っていますので，ソフトウェアに興味がある学生の受講も歓迎します．

2015年 理工学部 シラバス - 電子工学科