2015年 大学院理工学研究科 シラバス - 電子工学専攻
設置情報
| 科目名 | 半導体集積回路Ⅱ | ||
|---|---|---|---|
| 設置学科 | 電子工学専攻 | 学年 | 1年 |
| 担当者 | 高橋 芳浩 | 履修期 | 後期 |
| 単位 | 2 | 曜日時限 | 水曜2 |
| 校舎 | 船橋 | 時間割CD | J32B |
| クラス | |||
概要
| 学修到達目標 | 高密度･高集積化が進み，小型･軽量･高性能な集積回路は，ITをはじめ，あらゆる産業に欠 かせない電子部品となっている．大学院修了後の実社会で，集積回路関連の知識や技術必要とするときに，惑うことなく対応ができるように集積回路についての，十分な基礎知識を養う．学会誌の論文や解説記事を読む上で困難を覚えない程度になることを目標とする |
|---|---|
| 授業形態及び 授業方法 |
資料を作成して配布．また，最新技術に関する記事を読んで，問題点などを議論する． |
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準備学習（予習・ 復習等）の内容・ 受講のための 予備知識 |
半導体物理の基礎，デバイス物理の基礎，アナログ・デジタル回路の基礎知識を有すること． |
授業計画
| 第1回 | MIS構造の基礎：理想的なMIS構造の原理および実際のMIS構造（理想との違い）について学ぶ |
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| 第2回 | MOSトランジスタの特性(1)：グラジュアルチャネル近似によるMOSFETの特性解析について学ぶ |
| 第3回 | MOSトランジスタの特性(2)：空乏近似によるMOSFETについて学ぶ |
| 第4回 | しきい値電圧の制御(1)：基板電位およびチャネルドープによるしきい値電圧への影響について学ぶ |
| 第5回 | しきい値電圧の制御(2)：チャネルドープとしきい値電圧との詳細な関係について学ぶ |
| 第6回 | デバイスの微細化：微細化の必要性（高速度化，低消費電力），および微細化の問題点（酸化膜の薄膜化，短チャネル効果）について学ぶ |
| 第7回 | ゲート絶縁膜：MOSFETの高性能化に必要なゲート絶縁膜（高誘電率絶縁膜など）について学ぶ |
| 第8回 | 集積回路プロセス(1)：集積回路プロセスの概要を学ぶ |
| 第9回 | 集積回路プロセス(2)：半導体基板洗浄技術，絶縁膜成膜方法などについて学ぶ |
| 第10回 | 集積回路プロセス(3)：不純物導入方法，フォトリソグラフィプロセスなどについて学ぶ |
| 第11回 | 最先端集積回路プロセス：現在検討が進められている最先端プロセス技術などについて学ぶ |
| 第12回 | 論文輪講 I：最新技術に関する記事に対し，その内容および問題点などを議論する． |
| 第13回 | 論文輪講 II：最新技術に関する記事に対し，その内容および問題点などを議論する． |
| 第14回 | 論文輪講 III：最新技術に関する記事に対し，その内容および問題点などを議論する． |
| 第15回 | まとめ |
その他
| 教科書 |
各項目について資料を配布するにで，特に教科書は指定しない．
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| 参考資料コメント 及び 資料（技術論文等） |
菅野卓雄監修，伊藤隆司編著 『ULSIデバイス･プロセス技術』 電子情報通信学会 1995年 第1版
加藤浩太郎 『LSI技術の基礎』 電気通信協会 1992年 第1版
Jean-Pierre Colinge, SILICON-INSULATOR TECHNOLOGY:Materials to VLSI, KLUWER ACADEMIC PUBLISHERS, 1997, 2 edition
ICガイドブックは専門用語や簡単な説明が載っている．上記の参考書の他に，IEEE等の学会論文誌や専門雑誌を参考にすることを薦める．
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| 成績評価の方法 及び基準 |
論文輪講の理解度および宿題を総合的に評価する． |
| 質問への対応 | 研究室にて対応 |
| 研究室又は 連絡先 |
船橋校舎425号室 E-mail ytaka@ecs.cst.nihon-u.ac.jp |
| オフィスアワー |
火曜 船橋 10:30 ～ 11:30
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| 学生への メッセージ |
質問を歓迎．難しいと感じたことに一つ一つ理解を深めていくという地道な努力を惜しまないこと． |