2017年 理工学部 シラバス - 電子工学科
設置情報
| 科目名 | デバイスプロセス技術 | ||
|---|---|---|---|
| 設置学科 | 電子工学科 | 学年 | 4年 |
| 担当者 | 芦澤・高橋（芳） 他 | 履修期 | 後期 |
| 単位 | 2 | 曜日時限 | 木曜2 |
| 校舎 | 船橋 | 時間割CD | J42L |
| クラス | |||
| ポリシー | ディプロマ・ポリシー【DP】 カリキュラム・ポリシー【CP】 | ||
| 履修系統図 | 履修系統図の確認 | ||
概要
| 学修到達目標 | 先端電子デバイス作製のための具体的プロセス・評価技術、について理解することができる。特に要素技術・手法の原理概観だけでなく、目標特性を有するデバイス形成にいたるまでに要する種々の技術を関連させた具体的知見を身につけることができる。 |
|---|---|
| 授業形態及び 授業方法 |
講義は板書と共に、適宜授業内容理解を助けるプリントを配布する。学習の理解を深めるために、進捗状況に合わせてレポートを課題とする。 |
| 履修条件 | 「量子力学基礎」「基礎電子物性」「電子物性工学」「量子物性工学」「半導体デバイス工学」、特に「光・電子機能マテリアル」「光・電子機能デバイス」を履修および単位取得していることが望ましい。 |
授業計画
| 第1回 | 真空： 温度と圧力の関係、平均自由行程、コンダクタンス等 |
|---|---|
| 第2回 | 真空： 真空ポンプ、真空ゲージ |
| 第3回 | 薄膜作製方法： MBE法、スパッタ法、PLD法（酸化物系材料）、CVD法(カーボン系材料) 電子素子作製技術にかんして、基本的な薄膜作成法について外観した後に、その時、注目されている手法について詳細に説明する。 |
| 第4回 | 表面処理： 酸化物基板表面処理方法、熱処理方法 機能性の宝庫である酸化物が近年、急速に電子デバイスに応用されている。そのためには、原子レベルでの表面処理や薄膜成長、欠陥制御が必要である。それらについて最新の話題を提供する。 |
| 第5回 | 結晶成長： 酸化物薄膜結晶成長 ペロブスカイト系材料、カーボン系材料を例として 機能性酸化物の様々な結晶成長について説明する。基板の選択、薄膜作製手法と作製条件などは作製する材料によって大きく異なることを説明する。 |
| 第6回 | 半導体デバイスプロセス（１）： 半導体基板，基板洗浄，酸化膜成長 シリコンの結晶成長法，一般的な基板洗浄方法，絶縁膜として最も多用される熱酸化膜の成長原理などについて説明する． |
| 第7回 | 半導体デバイスプロセス（２）： リソグラフィー技術 写真露光技術を応用した微細パターンの転写技術，レジスト（感光剤）の特性，解像度向上技術などについて説明する． |
| 第8回 | 半導体デバイスプロセス（３）： エッチング技術，不純物拡散 微細な構造を形成するためのエッチング（食刻）技術，半導体の抵抗率をコントロールするための不純物拡散技術について説明する． |
| 第9回 | 組成分析技術，クリーンルーム技術 主な組成分析手法の原理，微細加工に必要な環境（クリーンルーム）などについて説明する． |
| 第10回 | 薄膜作製方法・プラズマ： スパッタリング現象、プラズマの性質 |
| 第11回 | プラズマ物理 ： プラズマ、火花条件、パッシェンの法則、シース、高周波放電 |
| 第12回 | 金属薄膜成長： 金属組織 熱平衡状態図を元にした結晶成長 |
| 第13回 | 磁性記録媒体作成（１）： 記録媒体設計指針と多元スパッタ法による合金磁性超薄膜形成（希土類、遷移金属系フェリ磁性材料） |
| 第14回 | 磁性記録媒体作成（２）： 多層膜化による記録媒体の機能性向上（反応性スパッタによる保護膜の形成、下地膜形成） |
| 第15回 | 磁性記録媒体評価 ： 薄膜構造（SEM、TEM、AFM）、磁気物性評価（磁気光学、VSM、MFM） |
その他
| 教科書 |
使用しない
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| 参考書 |
伊藤隆司，石川元，中村宏昭 共著 『VLSIの薄膜技術』 電子材料シリーズ 丸善 1986年 第1版
小間篤，白木靖寛，斉木幸一朗，飯田厚夫 共著 『シリコンの物性と評価法』 電子材料シリーズ 丸善 1987年 第1版
麻蒔 立男 『薄膜作成の基礎』 日刊工業新聞社 2005年 第4版
佐藤 勝昭 (著), 深道 和明 (著), 五味 学 (著), 片山 利一 (著), 阿部 正紀 (著), 未踏科学技術協会 (編集), レアメタル研究会 (編集) 『光磁気ディスク材料ー基礎および次世代への展望』 工業調査会 1993年 第1版
後藤芳彦 『結晶成長』 内田老鶴圃 2003年 第１版
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| 成績評価の方法 及び基準 |
小テスト 50% レポート 50% にて評価する。 |
| 質問への対応 | 随時、研究室にて対応。 |
| 研究室又は 連絡先 |
船橋校舎422（芦澤） 船橋校舎425（高橋） 船橋校舎411（塚本） 船橋校舎412（岩田） |
| オフィスアワー |
木曜 船橋 09:30 ～ 10:30 船橋校舎422（芦澤）
火曜 船橋 12:00 ～ 13:00 船橋校舎425（高橋）
月曜 船橋 12:30 ～ 13:10 船橋校舎411(塚本)
月曜 船橋 09:00 ～ 16:00 船橋校舎412(岩田)
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| 学生への メッセージ |