電子デバイス (I64M)

日本大学理工学部

2018年理工学部シラバス - 電気工学科

設置情報

科目名	電子デバイス
設置学科	電気工学科	学年	3年
担当者	那須　秀行	履修期	後期
単位	2	曜日時限	土曜4
校舎	駿河台	時間割CD	I64M
クラス
ポリシー	ディプロマ・ポリシー【DP】カリキュラム・ポリシー【CP】
履修系統図	履修系統図の確認

概要

学修到達目標	産業において電子デバイス技術は非常に広範囲に展開されており，産業のインフラストラクチャから，我々の日常生活において欠かせないものとなっている．電気電子系エンジニアにとって電子デバイスの知識は不可欠であり，本講義においては，半導体デバイスの基礎から各種機能デバイスの動作原理と特性について学ぶ．また，電子デバイスを作製するための超微細加工技術，さらに実際に使用するためのパッケージング技術についても学ぶ．
授業形態及び授業方法	板書および資料のプロジェクタによる投影を用いた講義形式をとる．
履修条件	3年生以上は受講可能．半導体デバイスの基礎を履修していること，または半導体デバイスの基礎知識があれば良い．

授業計画

第1回	導入：学習の動機づけとして電子デバイスが使われる分野とアプリケーションについて講義し，半導体デバイスの基礎について復習を行う．固体の電気伝導．エネルギーバンド．フェルミ準位等について講義する．
第2回	半導体の基礎：半導体材料，pn接合等について講義を行う．
第3回	トランジスタの原理：バイポーラトランジスタ，電解効果トランジスタについて講義を行う．
第4回	トランジスタの原理：SiC，パワーデバイスについて講義を行う．
第5回	各種機能デバイス：撮像・表示デバイスCCD， LCD，有機ELについて講義を行う．
第6回	各種機能デバイス：センサーデバイス，赤外線センサ，サーミスタ，ホール素子について講義を行う．
第7回	マイクロ波デバイス：HEMT，IMPATT，移動体通信への適用について講義を行う．
第8回	集積回路：各種IC，アナログIC，論理IC，メモリIC(DRAM, SRAM, EPROM)，ASIC，FPGAについて講義を行う．
第9回	集積回路：超微細加工技術における単結晶熱酸化リソグラフィー, エッチング, ドーピング等について講義を行う．
第10回	集積回路：超微細加工における薄膜, 気相成長法, 蒸着, スパッタ, めっきについて講義を行う．
第11回	光デバイス：自然放出，誘導放出，吸収，発光ダイオードについて講義を行う．
第12回	光デバイス：ダブルヘテロ結合，半導体レーザについて講義を行う．
第13回	光デバイス：光電変換，受光デバイス，光回路，光導波路，光変調器 (マッハツェンダー型，電解吸収型)について講義を行い，最新技術であるシリコンフォトニクスについて簡単に解説する．
第14回	エレクトロニクス実装：デバイスを実用するためのパッケージング技術について講義する．ダイボンディング，ワイヤボンディング，フリップチップボンディング，　セラミックパッケージ等について解説する．
第15回	総括：電子デバイスに関する基礎と応用に関する演習及び平常試験などを行い，講義の総括を行う．

その他

教科書	木村忠正『電子デバイス』電子・情報通信基礎シリーズ朝倉書店 2001年第1版講義を補完するために，教科書に記載の無い部分は［講義資料］をCSTポータルまたはウェブページで開示する．
参考書	管博，川畑敬志，矢野満明，田中誠，共著　産業図書『増補改訂版［図説　電子デバイス］』産業図書 2011年第1版図解されており，理解の幇助となる参考書である．
成績評価の方法及び基準	定期試験の評価70％，演習と課題の評価30％とする総合的な学業成績の査定を行う．
質問への対応	随時対応する．Eメールアドレスを開示する．
研究室又は連絡先	駿河台校舎8号館811号室　(鈴木薫研究室) Tel: 03-3259-0760 E-mailを開示する．
オフィスアワー	土曜駿河台 16:40 ～ 18:10
学生へのメッセージ	産業における電子デバイスの応用範囲は非常に広く，講義では基礎知識を網羅する．興味があるデバイス技術については，別途教科書や学術論文を参照することを勧める．

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