2023年 理工学部 シラバス - 電子工学科
設置情報
科目名 | ゼミナール | ||
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設置学科 | 電子工学科 | 学年 | 3年 |
担当者 | 永田・芦澤 他 | 履修期 | 後期 |
単位 | 1 | 曜日時限 | 木曜1 |
校舎 | 船橋 | 時間割CD | J41G |
クラス | |||
履修系統図 | 履修系統図の確認 |
概要
研究テーマ 及び研究領域 |
表面プラズモン、磁性材料等に関する薄膜作製および評価技術について。 |
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学修到達目標 | 卒業研究に必要な素養を身につけることができる。 勉学の場を自ら積極的に活用することで、主体性を持ち、問題意識を持った物事の見方が身につく。 本授業科目はDP3・4・5・6・7及びCPI3・4・5・6・7に該当している。 |
授業形態及び 授業方法 |
[対面授業] 小グループに分かれて、グループごとのテーマで実験、議論を行う。 全体の発表会でpptを用いたプレゼンテーションを行う。 |
履修条件 | 特になし |
その他
成績評価の方法 及び基準 |
発表、討論内容及び報告書 |
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質問への対応 | 随時 |
研究室又は 連絡先 |
4号館2階422室 ashizawa.yoshito@nihon-u.ac.jp |
オフィスアワー |
月曜 船橋 09:30 ~ 10:30 4号館2階422室
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学生への メッセージ |
積極的に取り組むほど楽しめます。 |