ゼミナール (J41G)

研究テーマ及び研究領域	半導体材料物性，半導体素子作製プロセス，デバイス特性評価，デバイスシミュレーション
学修到達目標	半導体材料の物性・デバイスの物理・製造プロセスについての基礎知識を身に付けるとともに，次年度の卒業研究を遂行するための関連知識を習得することができる． ※本授業科目はDP3・4・5・6・7及びCP3・4・5・6・7に該当しています．
授業形態及び授業方法	「対面授業」板書またはスライドを用いて半導体工学に関連した輪講を行うとともに，研究施設にて各自で半導体素子の作製および特性評価を行い，結果・考察をレポートとして提出する．
履修条件	半導体工学について興味があること．

成績評価の方法及び基準	レポート，輪講での発表内容などを総合的に評価．
質問への対応	随時，研究室にて対応．
研究室又は連絡先	425室（高橋研究室） E-Mail: takahashi.yoshihiro@nihon-u.ac.jp
オフィスアワー	木曜船橋 12:15 ～ 13:15
学生へのメッセージ	実際にシリコンデバイスの作製・評価を行います．また，シミュレーションを用いた研究も行っていますので，ソフトウェアに興味がある学生の受講も歓迎します．

2023年 理工学部 シラバス - 電子工学科