2023年 理工学部 シラバス - 電子工学科
設置情報
| 科目名 | 卒業研究 | ||
|---|---|---|---|
| 設置学科 | 電子工学科 | 学年 | 4年 |
| 担当者 | 今池・芦澤 他 | 履修期 | 年間 |
| 単位 | 6 | 曜日時限 | 土曜6 |
| 校舎 | 船橋 | 時間割CD | J66A |
| クラス | |||
| 履修系統図 | 履修系統図の確認 | ||
概要
| 研究テーマ 及び研究領域 |
半導体材料物性（絶縁膜の性質，発光など），素子作製プロセス（ウエハーからトランジスタまで），特性評価（C-V, I-V, FTIR, XPS, SEM, エリプソメータ他），デバイスシミュレータ，宇宙用半導体デバイス（耐放射線性デバイス）などの内容について，下記のテーマを取り扱う． 耐放射線半導体デバイス開発／各種MISFETの作製・評価／陽極酸化法による酸化膜の室温成長／光エネルギーを用いたシリコン窒化膜の低温成長／シリコン系発光素子の作製・評価／シミュレーションによるデバイス特性予測／電界結合型非接触電力伝送システム |
|---|---|
| 学修到達目標 | 半導体材料の物性・デバイスの物理・製造プロセス・応用について深く取り組み，電子工学の専門家としての意識を明確にすることができる．研究の遂行を通して問題解決能力を養い，プレゼンテーションやディスカッションを通して自らの考えを主張する能力を養うことができる． ※本授業科目はDP1・2・3・4・5・6・7・8及びCP1・2・3・4・5・6・7・8に該当しています． |
| 授業形態及び 授業方法 |
「対面授業」 各自の研究テーマに沿って長期・短期の目標を定め，実験やシミュレーションなどを遂行する．定期的に研究発表会，輪講を行う．主としてプレゼンテーションとディスカッションを重んじる． |
| 履修条件 | 半導体工学の基礎的内容を理解している必要あり． |
その他
| 成績評価の方法 及び基準 |
研究の進め方，実施方法，検討，発表について総合的に評価する． |
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| 質問への対応 | 随時，研究室にて行う． |
| 研究室又は 連絡先 |
船橋校舎4号館425室（高橋研究室） E-Mail: takahashi.yoshihiro@nihon-u.ac.jp |
| オフィスアワー |
木曜 船橋 12:15 ～ 13:15
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| 学生への メッセージ |
半導体デバイスおよび作製工程に対する研究が主だが，シミュレーションを用いた研究も行っているので，ソフトウェアに興味がある学生の受講も歓迎する． |