2024年 理工学部 シラバス - 電子工学科
設置情報
科目名 | 光・電子機能デバイス | ||
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設置学科 | 電子工学科 | 学年 | 3年 |
担当者 | 塚本・吉川 | 履修期 | 後期 |
単位 | 2 | 曜日時限 | 火曜4 |
校舎 | 船橋 | 時間割CD | J24B |
クラス | |||
履修系統図 | 履修系統図の確認 |
概要
学修到達目標 | デバイス応用に向けた磁性体の理解と先端磁気デバイスの概観、光と物質の相互作用の理解に基づく光・電子機能デバイス概観を修得する。(塚本) 基本的な電磁気学・量子力学をステップとして、電子デバイス、特に受光機能デバイスについての概要と材料スケールと限界を理解する。(吉川) |
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授業形態及び 授業方法 |
「対面授業」で実施する。 学習の理解を深めるために、毎回課題もしくは小テストを実施する。 パワーポイントを利用し、適時コンピュータを用いた解説や動画等も準備し講義を行う。(塚本) |
履修条件 | 「量子力学基礎」「基礎電子物性」「電子物性工学」「量子物性工学」「半導体デバイス工学」「情報理論基礎」、特に「光・電子機能マテリアル」を履修および単位取得していることが望ましい。(塚本、吉川) |
ディプロマ・ポリシー(DP)及びカリキュラム・ポリシー(CP)との関連 | 本授業科目はDP3及びCP3に該当しています。 |
授業計画
第1回 | 磁性体(1)磁気応用:磁性体とは、強磁性体、ヒステリシス曲線、熱磁気特性、磁気メモリ | 【事前学修】強磁性体の概要を調査し、シラバスを元に講義全体の流れを捉える 【事後学修】講義を実施した範囲について,ノートおよび追加調査により復習する | 【事前学修】2時間 【事後学修】2時間 |
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第2回 | 磁性体(2)情報記録応用:記録デバイスの条件、2状態系、磁気異方性の利用 | 【事前学修】磁気記録の概要を調査し、不明な点を明確にする 【事後学修】講義を実施した範囲について,ノートおよび追加調査により復習する | 【事前学修】2時間 【事後学修】2時間 |
第3回 | 磁性体(3)磁気センサ応用:ホール素子、磁気抵抗素子、巨大磁気抵抗素子 | 【事前学修】磁気センサの概要を調査し、不明な点を明確にする 【事後学修】講義を実施した範囲について,ノートおよび追加調査により復習する | 【事前学修】2時間 【事後学修】2時間 |
第4回 | 磁性体(4)スピントロニクスの基礎と磁気記録応用:トンネル磁気抵抗、磁気抵抗メモリ | 【事前学修】スピントロニクスの概要を調査し、不明な点を明確にする 【事後学修】講義を実施した範囲について,ノートおよび追加調査により復習する | 【事前学修】2時間 【事後学修】2時間 |
第5回 | 磁性体(5)磁気ダイナミクス応用:磁気共鳴、磁化歳差運動、高速磁気記録 | 【事前学修】磁気共鳴現象の概要を調査し、不明な点を明確にする 【事後学修】第1回から5回の講義範囲について,全体像をまとめ、復習する | 【事前学修】2時間 【事後学修】2時間 |
第6回 | 光と物質の相互作用(1)発光デバイス:白熱電球、蛍光灯 | 【事前学修】白熱電球の発光原理を調査し、不明な点を明確にする 【事後学修】講義を実施した範囲について,ノートおよび追加調査により復習する | 【事前学修】2時間 【事後学修】2時間 |
第7回 | 光と物質の相互作用(2)発光デバイス:発光ダイオード(LED)、光学遷移、励起と緩和 | 【事前学修】発光ダイオードの原理概要を調査し、不明な点を明確にする 【事後学修】講義を実施した範囲について,ノートおよび追加調査により復習する | 【事前学修】2時間 【事後学修】2時間 |
第8回 | 光と物質の相互作用(3)発光デバイス:半導体レーザー(LD)、自然放出、誘導放出 | 【事前学修】半導体レーザーの発光原理概要を調査し、不明な点を明確にする 【事後学修】講義を実施した範囲について,ノートおよび追加調査により復習する | 【事前学修】2時間 【事後学修】2時間 |
第9回 | 光と物質の相互作用(4)レーザー:レーザー発振と光学励起、光増幅、レート方程式 | 【事前学修】レーザー発振の概要を調査し、不明な点を明確にする 【事後学修】講義を実施した範囲について,ノートおよび追加調査により復習する | 【事前学修】2時間 【事後学修】2時間 |
第10回 | 光と物質の相互作用(5)磁気光学効果と応用:光磁気効果、磁気計測・制御応用 | 【事前学修】磁気光学効果の概要を調査し、不明な点を明確にする 【事後学修】第6回から10回の講義範囲について,全体像をまとめ、復習する | 【事前学修】2時間 【事後学修】2時間 |
第11回 | 光機能デバイス(1)受光デバイスと材料の概観 | 【事前学修】特に「状態密度」「バンド構造・電気伝導」「バンドギャップ」の定義を復習し、不明な点を明確にする ※参考となる課目:電磁気学・基礎電子物性・半導体デバイス・量子物性工学・電子工学実験Ⅲ 【事後学修】講義を実施した範囲について,ノートおよび追加調査により復習する | 【事前学修】2時間 【事後学修】2時間 |
第12回 | 光機能デバイス(2)金属編:吸収現象と光電子増倍管 | 【事前学修】金属とエネルギーバンド図の関係を調査し、不明な点を明確にする 【事後学修】講義を実施した範囲について,ノートおよび追加調査により復習する | 【事前学修】2時間 【事後学修】2時間 |
第13回 | 光機能デバイス(3)半導体編:CdSと半導体 | 【事前学修】半導体とエネルギーバンド図の関係を調査し、不明な点を明確にする 【事後学修】講義を実施した範囲について,ノートおよび追加調査により復習する | 【事前学修】2時間 【事後学修】2時間 |
第14回 | 光機能デバイス(4)CCDカメラと製造 | 【事前学修】CCD、CMOSを調査し、不明な点を明確にする 【事後学修】第11回から14回の講義範囲について,全体像をまとめ、復習する | 【事前学修】2時間 【事後学修】2時間 |
第15回 | 光機能デバイス(5)イメージングデバイス(サーモグラフィ、放射光イメージング) | 【事前学修】分解能とイメージングについて調査し、不明な点を明確にする 【事後学修】第11回から15回の講義範囲について,全体像をまとめ、復習する | 【事前学修】2時間 【事後学修】2時間 |
その他
教科書 |
使用しない
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参考書 |
吉本昌広、松波弘之 『半導体デバイス』 共立出版
多田邦雄、松本俊 『光・電磁物性』 コロナ社 2013年 第2版
永田一清 『物性物理学』 裳華房
G. バーンズ 著、長尾辰哉・沢田昭勝・中村輝太郎・米沢富美子・小島誠治 訳 『固体の電子論』 東海大学出版
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成績評価の方法 及び基準 |
講義中実施するミニテスト(45%),および各回の課題等平常点(55%)を総合して評価する。 |
質問への対応 | 原則として、各回の課題提出時に随時受け付ける。 |
研究室又は 連絡先 |
411室(塚本) tsukamoto.arata@nihon-u.ac.jp 411室(吉川) yoshikawa.hiroki@nihon-u.ac.jp |
オフィスアワー |
火曜 船橋 12:15 ~ 13:15 411室(塚本)
月曜 船橋 11:00 ~ 12:00 411室(吉川)
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学生への メッセージ |