電子材料・デバイス工学特別研究 (J66F)

研究テーマ及び研究領域	「半導体物性工学」および「半導体デバイス工学」デバイス作製プロセスの検討，宇宙用耐放射線性デバイスの検討，デバイスシミュレーションによる特性予測，シリコン系発光デバイスの検討，電界結合型非接触電力伝送システム
学修到達目標	「対面授業」半導体材料の物性・デバイスの物理・製造プロセス・応用について深く取り組み，電子工学の専門家としての実力を養う．研究の遂行を通して問題解決能力を養い，プレゼンテーションやディスカッションを通して自らの考えを主張する能力を修得することができる．
研究指導の計画・研究指導の方法（授業形態・授業方法）	各自の研究テーマに沿った目標に対して研究（実験，シミュレーションなど）を遂行する．進捗にあわせて研究討論，輪講，学会発表などを行う．これらの成果を修士論文としてまとめる．
準備学習（予習・復習等）の内容・受講のための予備知識	半導体工学の基礎的内容を理解していること．

成績評価の方法及び基準	研究の進め方，実施方法，検討，発表について総合的に評価する．
質問への対応	随時，研究室にて行う．
研究室又は連絡先	船橋校舎4号館425室 E-Mail: takahashi.yoshihiro@nihon-u.ac.jp
オフィスアワー	水曜船橋 12:00 ～ 13:00
学生へのメッセージ

2024年 大学院理工学研究科 シラバス - 電子工学専攻