2021年 理工学部 シラバス - 電子工学科
設置情報
科目名 | ゼミナール | ||
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設置学科 | 電子工学科 | 学年 | 3年 |
担当者 | 芦澤・岩田 他 | 履修期 | 後期 |
単位 | 1 | 曜日時限 | 木曜1 |
校舎 | 船橋 | 時間割CD | J41G |
クラス | |||
履修系統図 | 履修系統図の確認 |
概要
研究テーマ 及び研究領域 |
半導体材料物性、半導体素子作製プロセス、デバイス特性評価 |
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学修到達目標 | 半導体材料の物性・デバイスの物理・製造プロセスについての基礎知識を身に付けるとともに、次年度の卒業研究を遂行するための関連知識を習得することができる。 |
授業形態及び 授業方法 |
「ハイブリッド型授業」 オンライン会議システム「Zoom」を用いて半導体工学に関連した輪講を行うとともに、研究施設にて各自で半導体素子の作製および特性評価を行い、結果・考察をレポートとして提出する。 |
履修条件 | 半導体工学を基礎とした電子工学について興味があること。 |
その他
成績評価の方法 及び基準 |
レポート、輪講での発表内容などを総合的に評価。 |
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質問への対応 | 随時、研究室にて対応。 |
研究室又は 連絡先 |
船橋校舎4号館425室(高橋研究室) E-Mail: wu.yan@nihon-u.ac.jp |
オフィスアワー |
水曜 船橋 13:15 ~ 14:15
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学生への メッセージ |
半導体工学を学ぶための量子力学、物性の基礎を勉強。また、実際にシリコンデバイスの作製・評価を行います。 |